光化学蚀刻（Photochemical Etching, PCE）是一种利用光敏抗蚀层与选择性化学溶解相结合的精密金属加工技术。
料，全程无接触、无应力、无热影响。
2.1 工艺全流程分解
MicroEtch
的标准光蚀刻流程包含以下八个关键步骤，每一步均在受控环境下执行，并配备在线监测系统以确保过程稳定性：
步骤
工艺说明与关键控制
① 材料准备
选用符合 ASTM / EN / JIS
标准的卷材或片材，经超声波清洗去除油污、氧化物及微颗粒，确保表面洁净度达 ISO 14644-1 Class
8 以上（医疗、半导体应用提升至 Class 5）。
② 涂覆光阻
采用双面辊涂或喷涂工艺，在金属表面均匀覆盖感光干膜或液态光阻（厚度通常
10–25μm），固化后形成致密保护层，耐酸碱且附着力强。
③ 曝光
将客户 CAD 图形转化为高精度掩膜（Phototool），置于材料上下两侧，通过紫外光（UV）接触式曝
光；MicroEtch 使用分辨率达 5μm 的曝光设备，确保边缘锐利、无衍射模糊。
④ 显影
未曝光区域的光阻被碱性显影液溶解，暴露出下方金属，形成待蚀刻图形；显影时间与温度严格控制，
防止过显或欠显导致图形失真。
⑤ 蚀刻
⑥ 去膜
蚀刻完成后，残留光阻通过专用剥离剂清除，恢复金属本体，便于后续处理（如焊接、电镀）。
⑦ 清洗与干燥
多级纯水冲洗 + 热风干燥，确保无化学残留，满足洁净装配要求。
⑧ 检验与包装
全检关键尺寸（光学测量仪、轮廓仪）、外观（AOI
自动光学检测）及功能性（如导通测试），合格品在防静电环境中真空或托盘包装。
全流程同厂完成
上述所有工序均在同一厂区完成，避免转运带来的污染、划伤或信息断层；关键参数（蚀刻液浓度、温度、喷淋压力、
曝光能量）全程在线监测并自动调节，确保批次内一致性。
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