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化学蚀刻和光刻的区别

来源： | 时间：2026-06-18 | 阅读文本仅需2分钟

化学蚀刻和光刻是芯片行业中常见的两种加工工艺，有的网友会把蚀刻和光刻混淆，其实这两种加工的区别还是很大的。下面我们来了解一下两者之间的工作原理和区别之处。

化学蚀刻

蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻。湿刻是目前蚀刻行业的常用的方式，故名思议，湿蚀刻过程中有化学溶液液体加入。干刻则是通过等离子气体代替化学溶液对加工件进行腐蚀。

光刻的原理是在制作好的硅圆表面涂上光刻胶，再通过紫外光、深紫外光、极紫外光等光线透过掩膜照射到硅圆表面，因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照照射的区域则被留下了，留下的部分则是光刻加工完成的部件。

蚀刻和光刻的作用其实都是一样的，都是通过媒介腐蚀去不需要的部分，留下需要的部分。但两者之间的工艺流程和加工方式都不一样，且蚀刻的加工材料范围更广，而光刻目前主要加工半导体、硅片等材料。用芯片加工来解释，光刻是在芯片上面刻出电路图，而蚀刻则是将光刻刻出的电路图蚀刻出来。

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